MOS-FET酸化膜経時破壊を多チャンネルで測定！

特徴

印加モード
 電圧/電流切替可
最大印加電圧 150V/200V/300Vから選択
最大印加電流 20mA
チャンネル数 8～320ｃｈ
印加/測定回路
 パーピン
測定モード

定電圧/定電流/電圧ステップ/電流ステップ

電圧ランプ/電流ランプ/I-V

 

 

 

 

 

 

 

 

用途

MOS-FETゲート酸化膜のTDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown）評価

測定シーケンス

tddb_meas_seq1.gif  左図のように本測定の前後に初期測定・ストレス後測定を追加することができます。
 

tddb_meas_seq2.gif

  本測定・初期測定・ストレス後測定はそれぞれ印加値を変更することもできます。
 

tddb_meas_seq3.gif

  また、初期測定・ストレス後測定どちらか一方のみ追加することもできます。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

測定モード

FE100では、以下の4パターンから測定モードを選べます。

それぞれの測定モードで、電圧印加/電流印加を選択できます。

(1)定電圧/電流ストレス

cvcc_stress.gif

  定電圧または電流を印加し、収録間隔時間毎に電流または電圧を測定します。

(2)電圧/電流ステップストレス

step_stress.gif

  ステップ的に電圧または電流を印加し、収録間隔時間毎に電流または電圧を測定します。

印加値がSTOP値に到達した後は総試験時間に達するまでSTOP値で印加し続けます。

(3)電圧/電流ランプ

ramp_stress.gif

  ステップ的に電圧または電流を印加し、ステップ毎に電流または電圧を測定します。

電圧ランプは、JEDEC No.35 V Ramp法に基づいた測定を行います。TZDBとも呼ばれます。

(4)I-V特性

iv_stress.gif

  

 ステップ的に電圧または電流を印加し、ステップ毎に電圧または電流を測定します。

ステップストレスと違い、ステップ間隔の時間を設定することはできません。


 

tddb_rack.png

19インチラック

SMU_300V.JPG

SMUボード